IPD16CNE8N G
| Номер детали производителя | IPD16CNE8N G |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3 |
| Упаковка | PG-TO252-3 |
| В наличии | 5777 pcs |
| Техническая спецификация | IPx16CNE8N GPart Number GuideMultiple Devices 11/Dec/2009 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5777 Infineon Technologies IPD16CNE8N G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 53A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 100W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3230 pF @ 40 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 85 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 53A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPD16C |
Рекомендуемые продукты
-
IPD160N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD180N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR7M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD14T1NGR5M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31Infineon Technologies -
IPD160N04LG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD180N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1928497938-EF01
DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 8TE Connectivity -
IPD1928497939-EF01
DT PLUG 2WAY EF01-SEAL MARKING 3TE Connectivity -
IPD19DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR40M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD200N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD14T1NGR30M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD18DP10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3Infineon Technologies -
IPD170N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1928497941-EF01
DT PLUG 3WAY EF01-SEAL MARKING 2TE Connectivity -
IPD14T1NGR2M
CONNECTORPanduit Corp -
IPD16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3Infineon Technologies -
IPD15N06S2L64ATMA1
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3Infineon Technologies